Kompetenzzentrum Nanochem. Nanoanalytik Und Halbleiterchemie

Geräteausstattung/Technologische Möglichkeiten

• Schichtabscheidung:

  Ofenprozesse: Oxid feucht, trocken
  LPCVD Si, Si₃N₄, SiO₂
  TEOS
  Sputtern: Al, Cr, Ti, u. a., auch reaktiv (N₂,O₂)
  Bedampfen mit Elektronenstrahlverdampfer: verschiedene Schichten
  PECVD: Si_xO_y, Si_xN_y

• Lithografie:

  Maskenerstellung (10 µm)
  Belacken, Entwickeln
  Belichten: Proximity, Kontakt beidseitig

• Ätzen/Reinigung:

  Nasschemisch: Single Wafer, Backside, Batch
  Megasonic
  RIE, ICP
  Verascher (O₂ und CF₄)

Geräteausstattung/Strukturanalyse

• Schichtdickenmessungen, REM, EDX, AFM,
  Mikroprofilometrie, (Konfokale) Mikroskopie, Ellipsometrie, Stressmessung
  Ultraschallmikroskop, Linsenmessgerät
  Rauhigkeitsmessung (Profilometer, AFM, Mikro-Raman)
  Stressmessungen auf Chipebene mittels Mikro-Raman
  Stressmessungen auf Waferebene mittels Profilometer bis 8“
  Vibrationsviskosimeter

Chemische Analytik (auch Materialproben nach SEMI-Standard)

• AAS, FTIR mit Mikroskop, ATR
  UV/Vis-Spektroskopie, (Mikro-)Raman-Spektroskopie
  GC-MS, Ionenchromatografie, Kalorimetrie, Epi-Fluoreszenzmikroskopie, Elymat

Elektrische Analytik

• Waferprober für Kennlinienaufnahmen und GOI-Messungen
  Vierspitzenmessgerät

Montage

• Anodischer Bonder
  Wafersäge